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三星东芝延长半导体专利共享期限

2009/6/24/10:05 来源:中华工商时报

    据韩联社报道,三星电子日前发表告示称,与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。

    在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝,从2002年9月至今年3月,一直共享半导体领域专利技术。

    此次达成的协议延长了专利共享时间,但根据协议并未公开具体共享期限和条款。

    三星电子相关人士表示:“为了避免不必要的专利竞争,并加强领头企业间的合作,以及占领市场主导权,决定共享专利技术。”去年,三星电子和东芝在NAND型闪存市场的占有率分别为42.1%和29.3%,分别位居第1和第2,海力士则以12.3%位居第3。

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