三星或对NAND Flash业务追加投资(附图)

http://www.homea.hc360.com2020年05月20日10:32 来源:闪存市场T|T

    近期,三星副会长李在镕巡查了位于中国西安的半导体工厂后,还将巡视韩国平泽厂区,这两个存储器生产基地正在扩大规模,将成为核心生产据点,同时展现了三星实现半导体发展蓝图“半导体愿景2030”的决心。

    据悉,三星电子副会长李在镕5月18日视察西安半导体工厂,当天到厂视察和讨论疫情的影响及对策,检查工厂扩建进展以及下一笔投资计划进程,预计投资将在第三季度进行。李在镕在视察时还指出,囿于过去或安于现状就没有未来,创造新的增长动力需要未雨绸缪迎接巨变,进一步凸显了三星扩大投资的意图。

△西安工厂现场检查

△ 西安工厂现场检查

    继访问西安工厂后,李在镕即将巡视韩国厂区,预定5月底或6月初巡视平泽厂区,并将对系统半导体与NAND追加投资,持续朝三星半导体愿景2030迈进。

    西安工厂是三星在海外唯一的半导体存储器生产基地,甚至在“疫情”期间包机派遣200多名扩建所需技术人员赴华,加速推进西安工厂扩建工作。三星在2012年落户西安,2013年投资108亿美元兴建西安一期项目,并于2014年建成投产。西安二期项目分为两个阶段,总投资150亿美元,其中第一阶段投资约70亿美元,二阶段项目投资80亿美元,投资新建的西安二期一阶段工厂已在2020年Q1投产,二期二阶段正在全面开工建设中,并将于2021年下半年竣工。

    三星位于韩国的平泽厂区正在进行P2和P3(DRAMEUV)产线兴建工程。之前消息称,三星正在加快先进工艺的过渡,位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备,同时建设极紫外光刻(EUV)生产线,计划生产先进的DRAM。三星将从DRAM1A产线开始采用EUV制程,预计最快2020年底就会正式以EUV制程量产DRAM。

    三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元(约60亿美元),其中半导体支出为6.0兆韩元(约49亿美元),同比增长近一倍,可以看出三星正在加速推进新工厂投产和扩建工作,而三星副会长李在镕巡查工作,也体现了三星西安和平泽工厂的重视。

    三星在存储市场占据领导地位,除了重视存储市场,三星在2019年发布“半导体愿景2030”蓝图,加强在非存储器的系统半导体投资战略。三星曾宣布将在2030年前投资133兆韩元(约合1086亿美元),包括研发经费73兆韩元与设备投资经费60兆韩元,用于逻辑芯片业务,以加强其在System LSI和晶圆代工业务方面的竞争力。

    存储产业在2019年遭遇寒冬,2020年又受全球“疫情”影响较大,且大环境的不确定因素增加,但并不影响三星存储器长远的投资目标和规划蓝图,而且三星在存储产业遭遇“逆风”时扩大投资是其惯用的手段。另外,三星增加System LSI和晶圆代工投资,也是看重其长远发展前景和潜在成长力。

责任编辑:李群

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